ISRA可以提高产量,同时确保较高的质量和工艺可靠性,即使在正在进行的晶圆生产中也是如此。
我们的在线光学检测系统可以可靠地检测大块晶圆材料表面、边缘和内部的缺陷,从而显著提高您的生产能力。通过在有缺陷的材料进入生产过程的下一阶段之前将其清除,节省成本。
CMP(化学机械抛光)消除了微峰和谷。然而,在抛光或其他下游工艺过程中,大块晶片材料或晶片边缘的微裂纹可能导致晶片断裂,从而导致高成本。有缺陷的晶片必须及时拒收,以避免昂贵的清洁和延长机器停机时间。
特征
裂纹宽度小于5µm的缺陷检测
晶圆图像/2D协作图像
从三个角度检查晶圆边缘
扫描速度:最高130°/秒
可选缺口检查功能
典型缺陷
碎屑
微裂纹
蚀刻残留物
正面和背面有划痕
晶格缺陷(双片层)
技术参数
采用不同波长的LED线路照明的高分辨率线路扫描相机
可以集成调试阈值和裂纹敏感,以灵敏地优化检测结果
典型的分辨率:20μm,可选低至1.5μm
边缘检测的光学设置:2×45°棱镜和获取的3面图像的直接侧视图
半导体标准接口
即使在高检测速度下,也能通过在线检测提高生产产量。使用获得专利的MultiView技术,我们的系统可以可靠地识别和分类宏观缺陷,处理划痕或蚀刻残留物。这有利的允许在早期阶段将有缺陷的晶片从工艺中移除。
特征
晶圆表面和晶圆边缘的缺陷检测
背面检查(非功能侧)
砷化镓(GaAs)正面检查(放宽要求)
自动缺陷分类
可选缺口检查功能
典型缺陷
正面和背面有划痕
正面蚀刻坑(“圆形”抛光)
蚀刻缺陷,尤其是背面的缺陷
蚀刻残留物
边缘碎屑
技术参数
高分辨率线扫描相机
最高吞吐量50-100 wph(应用深度决定)
具有自适应波长和分辨率的多视图技术
典型的像素分辨率: 3微米/像素(μm/px)
半导体标准接口
晶圆的平面度对于完美组装至关重要。挠度测量是一种有效的解决方案,可在一次测量中可靠地检测高度偏差和缺陷。
将测量数据与CAD数据进行比较,并在几秒钟内评估差异。该系统快速有效地确定所制造的晶片是否在所需的尺寸公差内。这使得用户能够在优化流程和机器设置的同时最大限度地减少生产浪费。
在反射表面上精确测量高度,用于晶圆形状检查
检测率高,斜率变化极低
根据形状和表面缺陷进行评估
典型缺陷
形状偏差
波纹度
划痕、夹杂物、斑点
测量原理:相位测量偏转法
测量区域:300x200-600×400 mm²
横向分辨率:~20-40µm
•精度高度图:10×10 cm²上+/-10μm